由浙江大学硅材料国家重点实验室承担完成的《新型UHV/CVD系统及器件级薄外延层生长与应用》和《新颖立式高真空MOCVD系统及GaN外延生长与应用》两项成果11月9日通过浙江省科技厅主持的鉴定。
中科院半导体所王占国院士担任鉴定委员会主任，来自复旦大学、山东大学等半导体材料和真空技术领域的著名专家学者一致认为，两项成果完成了预期的各项任务与目标，研究成果处于国内领先，达到国际先进水平，部分关键技术国际领先，具有推广应用价值。
这两项在叶志镇教授主持下完成的重点研究项目历时6年，并得到国家重点基础发展规划“973”项目、国家教育部科技重点项目、浙江省科技计划项目及“211”工程的支持。
超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）设备是制备优质亚微米晶体薄膜、纳米结构材料、研制硅基高速高频器件和纳电子器件的关键的先进薄膜技术，它研发成功具有重要的科学意义和实际应用价值，现已在国内得到推广应用，已产生直接和间接经济效益数千万元。该设备打破了同类设备依赖进口的被动局面，促进了超高真空CVD设备国产化，社会、经济效益显著。
新颖的高真空MOCVD是生长优质宽禁带化合物半导体GaN外延层、研制半导体蓝光二极管（LEDs）、蓝光激光器（LDs）关键技术，设备成功研发和实用的蓝光LED研制，这对于全彩色显示、汽车电子、大容量通讯、手机彩屏显示等蓝光器件应用和半导体白光照明的巨大产业的发展具有十分重要的作用。
中科院半导体所王占国院士担任鉴定委员会主任，来自复旦大学、山东大学等半导体材料和真空技术领域的著名专家学者一致认为，两项成果完成了预期的各项任务与目标，研究成果处于国内领先，达到国际先进水平，部分关键技术国际领先，具有推广应用价值。
这两项在叶志镇教授主持下完成的重点研究项目历时6年，并得到国家重点基础发展规划“973”项目、国家教育部科技重点项目、浙江省科技计划项目及“211”工程的支持。
超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）设备是制备优质亚微米晶体薄膜、纳米结构材料、研制硅基高速高频器件和纳电子器件的关键的先进薄膜技术，它研发成功具有重要的科学意义和实际应用价值，现已在国内得到推广应用，已产生直接和间接经济效益数千万元。该设备打破了同类设备依赖进口的被动局面，促进了超高真空CVD设备国产化，社会、经济效益显著。
新颖的高真空MOCVD是生长优质宽禁带化合物半导体GaN外延层、研制半导体蓝光二极管（LEDs）、蓝光激光器（LDs）关键技术，设备成功研发和实用的蓝光LED研制，这对于全彩色显示、汽车电子、大容量通讯、手机彩屏显示等蓝光器件应用和半导体白光照明的巨大产业的发展具有十分重要的作用。
