特点及用途：
前端预热双温区滑?/span>PECVDBTF-1200C-II-SL-400C是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高凹/span>10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方?低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单、/span>
前端预热双温区滑?/span>PECVDBTF-1200C-II-SL-400C配有前端预加热炉，辅助固态源蒸发，后端为单温区加热炉，温度控制精确，操作简便，对于气相沉积，二维材料，等离子处理生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验、/span>
前端预热双温区滑?/span>PECVDBTF-1200C-II-SL-400C９/span>
1.与传统CVD系统比较，生长温度更低、/span>
2.使用滑轨炉实现快速升温和降温、/span>
3.设备特有皃/span>zhuan利技术使得整管辉光均匀等效，均匀生长
1.加热系统
zui高温?/span> |
1200ℂ/span> |
使用温度 |
?100ℂ/span> |
炉膛有效尺寸 |
Φ50mm（炉管直径可根据实际需要定制） |
炉膛材料 |
氧化铝、高温纤维制?/span> |
热电偶类垊/span> |
K型热电偶 |
控温精度 |
±1ℂ/span> |
控温方式 |
30段可编程控温，PID参数自整宙/span> |
加热长度 |
200+200mm |
恒温长度 |
100+100mm |
加热原件 |
电阻东/span> |
供电电源 |
单相?20V?0Hz |
2、预热系统系绞/span>
zui高温?/span> |
400ℂ/span> |
炉膛有效尺寸 |
Φ50mm（炉管直径可根据实际需要定制） |
炉膛材料 |
氧化铝、高温纤维制?/span> |
热电偶类垊/span> |
K型热电偶 |
控温精度 |
±1ℂ/span> |
控温方式 |
30段可编程控温，PID参数自整宙/span> |
加热长度 |
100mm |
加热原件 |
电阻东/span> |
额定功率 |
800W |
3、PE系统
功率输出范围 |
0W~500W |
zui大反射功玆/span> |
100W |
射频输出接口 |
50 Ω, N-type, female |
功率稳定?/span> |
?W |
谐波分量 |
?50dbc |
供电电压 |
单相交流?87V-253V（/span>频率50/60HZ |
整机效率 |
>=70% |
功率因素 |
>=90% |
冷却方式 |
强制风冷 |
4、三路质子流量控制系绞/span>
连接头类垊/span> |
双卡套不锈钢接头 |
标准量程（N2) |
50sccm?00sccm?00sccm （可根据用户要求定制（/span> |
准确?/span> |
±1.5%F.S |
线?/span> |
±1%F.S |
重复精度 |
±0.2%F.S |
响应时间 |
气特性：1? Sec，电特性：10 Sec |
工作压差范围 |
0.1?.5 MPa |
zui大压劚/span> |
3MPa |
接口 |
Φ6,1/4'' |
显示 |
4位数字显礹/span> |
工作环境温度 |
5~45高纯气体 |
压力真空?/span> |
?.1?.15 MPa, 0.01 MPa/栻/span> |
截止阀 |
Φ6 |
内外双抛不锈钢管 |
Φ6 |
5、低真空机组
空气相对湿度 |
?5% |
工作环境 |
5℃～40ℂ/span> |
工作电电厊/span> |
280V |
抽气速率 |
32m³/h |
极限真空 |
5X10-1Pa（空载冷态） |
工作压力范围 |
1.01325X105?.33X10-2Pa |
耐压倻/span> |
0.03MPa |
进气口口徃/span> |
KF40 |
排气口口徃/span> |
KF40 |
连接方式 |
采用波纹管，手动挡板阀与波纹管相连 |
手机粉体罐/p>
发求
发供
