| 货号 | CAS叶/td> | 编号 | 包装 | 参数 |
| 101041 | 7440-33-7 | XF172 | 1 监/td> | 基底尺寸: 9 mmx9 mm |
产品名称
中文名称:CVD氧化?硅基底单层二硒化?/span>
英文名称9/span>Single Layer WSe2 on SiO2/Si
性质
形态:薄膜
参数
基底尺寸? mmx9 mm
WSe2片径范围9/span>20-50μm
氧化层:300nm
厚度?.6-0.8 nm
应用
先丰纳米**推出CVD法制备的单层二硒化钨,该产品具有缺陷少,层数可控,优异的光学性质,是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料,欢迎咨询、/span>