| 货号 | CAS叶/td> | 编号 | 包装 | 参数 |
| 101035 | 7440-33-7 | XF166 | 1 监/td> | 基底尺寸: 9 mmx9 mm |
产品名称
中文名称:CVD氧化?硅基底单层二硫化?/span>
英文名称9/span>Single Layer WS2 on SiO2/Si
性质
形态:薄膜
参数
基底:二氧化?硄/span>
氧化层:300nm
基底尺寸9/span>9 mmx9 mm
WS2片径大小9/span>20-50 µm
厚度?.6}/span>0.8 nm
应用
该类材料缺陷少,光学性质优良,层数可控,是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料、/span>