| 货号 | CAS叶/td> | 编号 | 包装 | 参数 |
| 101031 | 1317-33-5 | XF165 | 1 监/td> | 基底尺寸: 6 mmx8 mm |
产品名称中文名称:CVD氧化铝基底单层二硫化钻/span>
英文名称9/span>Single Layer MoS2onAl2O3
性质
形态:薄膜
参数
基底:氧化铝
基底尺寸? mm*8 mm
片径范围?0-50 μm
厚度?.6?.8 nm
应用
先丰纳米**推出CVD法制备的单层二硫化钼,相比较锂插层制备的单层二硫化钼,该产品具有缺陷少,层数可控,优异的光学性质,是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料,欢迎咨询、/span>