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双腔室UHV磁控溅射镀膜系绞/div>
双腔室UHV磁控溅射镀膜系绞/div>
  • 型号

    QBT-P
  • 产地

    福建
  • 品牌

    韫茂科技
  • 产品分类

    实验设备
  • 关注?/p>2590

  • 参考报件/p>

产品详情

双腔室超高真空双磁控测射系统 QBT-P


微信图片_20220223162253.jpg

磁控溅射技术原琅/span>

在阴?/span>靶的表面上方形成一个正交电磁场。当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后,并不直接飞向阳极,而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近似摆纾/span>的运动。高能电子不断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量,使之电离而本身变成低能电子。这些低能电?终沿磁力线漂移到阴极附近的辅助阳极而被吸收,避免高能电子对极板的强烈轰击,消除了二?/span>溅射中极板被轰击加热和被电子辐照引起的损伤,体现出磁控溅射中极板“低温”的特点。由于外加磁场的存在,电子的复杂运动增加了电离率,实现了高速溅射、/span>


磁控溅射技术特炸/span>

成膜速率高,基片温度低,膜的粘附性好,可实现大面?/span>镀膛/span>


微信图片_20220223162304.jpg


技术参?/span>

QBT-P 技术参 Technical Specifications (超导Ta/TiN/NbN/Al/Nb等制备)
超高真空腔体 UHV Chamber 2个UHV Chamber,包括Loadlock及Sputtering, 极限真空Ultimate Pressure<3E-9Torr
排气速率Pumping Spead 从ATM?E-7Torr<20min (loadlock)
基板加热 Wafer Heating RT-900oC
离子束清 Ion Milling 考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV; Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均一?lt;3%
磁控溅射Sputtering DC or RF Power Supply, 基板与靶材距离连续可调Wafer and Target Space can Change Continoulsly
基板传输 Wafer Transfer 高度可靠和可重复的基板传输能劚/td>
人机界面 HMI 全自动化人机操作界面
安全Safety 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO


工艺展示


微信图片_20220223162258.jpg


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