产品详情９/span>
上下双腔,集表面处理与蒸发镀膜为一?高效可靠的Indium蒸镀助手、/span>
技术参?/span>
| QBT-I 技术参 Technical Specifications (Indium Bump等制? | |
| 高真空腔 HV Chamber | 2个HV腔室，Loadlock离子束刻蚀及蒸镀，极限真空Ultimate Pressure<3E-8Torr |
| 排气速率Pumping Spead | 从ATM?E-7Torr<15min (loadlock) |
| 极限蒸发速率 High Depostion Rate | 5-12nm/s (Indium), Ф100基板镀膜均一?lt;3%, 大容量坩埙/td> |
| 精准的样品冷却控 Wafer Cooling | -10-40 (精度±0.1（/td> |
| 离子束清 Ion Milling | 考夫曼离子源, Ф100基板刻蚀均一?lt;3% |
| 人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
| 安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO |
测试结果
手机粉体罐/p>
发求
发供
