适用于镍电极片式陶瓷电容器芯片在�?�?气氛下进行高温烧结，使芯片介质成为致密的陶瓷，保证产品各种参数、性能稳定、�/p>

技术参数：

**温度	1400ℂ�/span>
使用温度	1350ℂ�/span>
使用气氛	氮气+氢气
炉膛温度均匀�?/span>	±3.5ℂ�/span>
**功率	47.5KW，保温功玆�20KW
加热元件	可选硅钼棒或硅碳棒
载台可自动旋�?/span>	旋转速度可调�?*转逞�/span>1�?min
真空泴�/span>	炉膛抽真空可辽�/span>-97KPa
炉膛尺寸	内腔直径φ759mm，高�?60mm(有效产品码放高度400mm)
整机外形尺寸	�?/span>3250x4430x3700(LxWxH)mm

技术特点：
*全纤维炉膛结构，节能保温、�br style="box-sizing: border-box"/>*温区温度单独控制，控制精度高，温度均匀性好、�br style="box-sizing: border-box"/>*气氛控制精准、出气均匀、稳定性高，满足不同工艺需求、�br style="box-sizing: border-box"/>*网带输送平稳、经久耐用
*全自动运行系统、操作简单、运行稳定可靟�br style="box-sizing: border-box"/>*适合大批量生产、工艺稳定、确保产品的一致性、�/span>