生长方法：气炼法/合成
主要成分：SiO2
密度�?.2g/cm^3
熔点�?730ℂ�/span>
莫氏moh’s硬度�?
**安全使用温度（连续）�?000-1100ℂ�/span>
**安全使用温度（短时间）：1300-1400ℂ�/span>
耐热急变温度�?00-1100ℂ�/span>
热膨胀系数CTE�?.4*10^(-7)
介电常数�?�?0^6Hz）：3.7（常温）
电导率（S/m）：10^(-17)~10^(-16) �?0�?nbsp;（�/span>
颜色：透明