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原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition+/span>ALD)是由化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition+/span>CVD)技术发展而来。该技术被广泛用于半导体行丙/strong>,例如在硅片等载体上沉积介电陶瓷材料、/span>ALD作为一种新型的化学气相包覆手段,能够实现对被包覆材料不规则表面的完全赋型包覆,且包覆层厚度的控制精度可以达?/span>0.1nm,相比传统的固相和液相包覆工艺,ALD在包覆均匀性和包覆修饰层厚度精准调控方面具备数量级上的优势、/span>
它具有如下特点:
'/span>1)通过控制循环次数精确控制包覆厚度,可以得?/span>0.1 nm级超薄的包覆层、/span>
'/span>2)包覆层非常均匀致密,孔隙率非常低、/span>
'/span>3)生长温度较CVD低,部分包覆层材料可以室温下进行生长、/span>
'/span>4)具有丰富的包覆材料选择性、/span>
而且,与其他沉积手段相比+/span>ALD具有精确的膜厚、形状和成分控制;无需控制反应物通量;极佳的薄膜同质性,均匀性,致密性,完整性;极佳的大面积沉积;高的可重复性及简单的扩产工艺;低的薄膜生长温?/span>、/span>ALD粉体包覆技术可以被广泛应用亍strong>锂电池正负极材料包覆?span style="font-size: 16px; font-family: 宋体; color: rgb(255, 0, 0);">催化剂寿命延镾/strong>?strong>金属粉体表面包覆改?/span>?strong>医药精准缓释等领域、/span>
国家海外特聘专家
2021-08-30 11:47:22
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