编号：NMJS03900
篇名� 石墨烯纳米带场效应管结构优化
作者： 赵磊� 赵柏衡； 常胜� 王豪� 黄启俊；
关键词：石墨烯纳米带场效应管(GNRFET)� 结构优化� 掺杂� 开关电流比� 亚阈值摆幅；
机构：武汉大学物理科学与技术学院； 武汉大学微电子与信息技术研究院：�br>摘要� 石墨烯纳米带场效应管(graphene nanoribbon field effect transistor,GNRFET)作为后硅基时代集成电路基础器件的有力竞争者受到广泛关注。以数字电路应用为指�?基于密度泛函理论的计算仿�?对GNRFET的结构设计优化进行了研究。分析了宽度N=3m和N=3m+1(m为正整数)两系列半导体型石墨烯纳米带的传输特�?结果表明N=3m系的扶手椅型石墨烯纳米带(armchair GNR,AGNR)更适合作为晶体管的沟道。研究了掺杂对GNRFET性能的影�?得到明显n型特�?并确定了掺杂位置;探讨了沟道长度对器件的影�?得到了较大的开关电流比(�? 700)和较小的亚阈值摆�?30�?0 mV/decade)。这些优化手段有效提高了GNRFET的性能,可指导其设计和制备�