编号：NMJS07382
篇名� 低温制备高质量六方氮化硼晶畴、薄膜及其在石墨烯基场效应晶体管中的应用
作者： 王立� 武斌 刘洪� 王翰� 苏玉� 类伟� 胡平� 刘云�
关键词： 六方氮化� 场效应晶体管 低温制备 石墨� 等离子体化学气相沉积� 质量 晶畴 薄膜
机构：Beijing National Laboratory for Molecular Sciences Key Lab of Microsystem and Microstructure Institu
摘要� 二维六方氮化硼是一种理想的石墨烯电学器件介电层材料,然�?制备低成本和高质量的氮化硼材料仍是一个挑�?本文使用等离子体化学气相沉积�? 500°C下在铜箔衬底上制备了三角形的BN晶畴及其薄膜.通过使用锡箔纸包裹原料的方法避免了残留原料在BN表面的沉�?当BN作为石墨烯场效应晶体管的介电层时,基于石墨烯的场效应器件空穴与电子的迁移率分别�?0500�?750 cm2V^-1s^-1,明显优于在高温条件下制备的BN作为介电层的石墨烯器�?间接表明了该方法可得到高质量的BN.另外,本工作也揭示了氮化硼的质量对石墨烯场效应器件的性能至关重要.