编号：CPJS06961
篇名� 石墨烯导电柔性衬底上生长硼掺杂ZnO纳米球及其光电性能的研�
作者： 任帅 容萍 姜立� 李亚� 于琦
关键词： 石墨� ZnO PET-ITO 硼掺� 光电器件
机构：陕西理工大学材料科学与工程学院陕西省催化基础与应用重点实验室石墨烯研究所 陕西理工大学物理与电信工程学陡�br>摘要� 以石墨烯柔性衬�?GPET)为基�?硼酸、六次甲基四胺和六水硝酸锌为掺杂�?采用低温(95�?水热法合成硼掺杂石墨�?氧化锌薄膜复合材�?B-ZnO/GPET)。通过X射线衍射�?XRD),扫描电子显微�?SEM),光致发光光谱(PL),伏安特征曲线(I-V)等进行表�?分析B-ZnO/GPET的生长机�?通过改变硼酸的掺杂浓�?研究B-ZnO/GPET的形貌差异。实验结果显�?水热法能够成功的将B元素掺入B-ZnO/GPET的晶格中。硼酸的掺杂浓度决定了B-ZnO/GPET的结晶质量。随着硼酸浓度的增�?ZnO的结晶质量明显改�?并呈现ZnO纳米球状,比表面积增加到了26.4 m~2/g高于纯ZnO�?0.32 m~2/g,晶粒尺寸也相应增大。B-ZnO/GPET显著提高了良好循环下的光电性能,在光电器件领域拥有良好的前景�