编号：CYYJ02598
篇名� 非对称氧掺杂对石墨烯/二硒化钼异质结肖特基势垒的调�
作者： 郝国� 张瑞 张文� 陈娜 叶晓� 李红�
关键词： 异质� 密度泛函理论 非对称掺� 肖特基势�
机构：东理工大学材料科学与工程学� 中国科学技术大学化学与材料科学学院
摘要� 在纳米逻辑器件�?制造低的肖特基势垒仍然是一个巨大的挑战.本文采用密度泛函理论研究了非对称氧掺杂对石墨�?二硒化钼异质结的结构稳定性和电学性质的影�?结果表明石墨烯与二硒化钼形成了稳定的范德瓦耳斯异质�?同时保留了各自的电学特�?并且形成�?.558 eV的n型肖特基势垒.此外,能带和态密度数据表明非对称氧掺杂可以调控石墨烯/二硒化钼异质结的肖特基接触类型和势垒高度.当氧掺杂在界面内和界面外�?随着掺杂浓度的增�?肖特基势垒高度都逐渐降低.特别�?当氧掺杂在界面外�? n型肖特基势垒高度可以降低�?.112 eV,提高了电子的注入效率.当氧掺杂在界面内�? n型肖特基接触转变为欧姆接�?平面平均电荷密度差分显示随着掺杂浓度的增�?界面电荷转移数量逐渐增多,导致费米能级向二硒化钼导带底移动,证实了随着氧掺杂浓度增大肖特基势垒逐渐降低,并由n型肖特基向欧姆接触的转变.研究结果将对基于石墨烯的范德瓦耳斯异质结肖特基势垒调控提供理论指导.