编号：NMJS08944
篇名� 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨�
作者： 祁建� 陈洋 岳圆� 吕炳� 程宇� 朱凤� 贾玉� 李绍� 孙晓� 黎大�
关键词： Cu(111) 石墨� 高温退� 化学气相沉积 场效应晶体管
机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要� 二维(2D)石墨烯具有原子层厚度,在电子器件中展示出突破摩尔定律限制的巨大潜力。目�?化学气相沉积(CVD)是一种广泛应用于石墨烯生长的方法,满足低成本、大面积生产和易于控制层数的需求。然�?由于催化金属(例如Cu)衬底一般为多晶特�?导致CVD法生长的石墨烯晶体质量相对较差。为�?通过高温退火工艺制备了Cu(111)单晶衬底,使石墨烯的初始成核过程得到了很好的控�?从而实现了厘米尺寸的高质量单晶石墨烯的制备。根据二者的晶格匹配关系,Cu(111)衬底为石墨烯生长提供了唯一的成核取�?相邻石墨烯成核岛的边界能够缝合到一起。单晶石墨烯具有高电导率,相较于原始多晶Cu上生长的石墨�?1415.7Ω·sq-1),其平均薄层电阻低�?07.5Ω·sq-1。高温退火能够清洁铜�?从而获得表面粗糙度较低的洁净石墨烯。将石墨烯用于场效应晶体�?FET),器件的最大开关比�?45.5,载流子迁移率�?.31×103cm2·V-1·s-1。基于以上结�?相信本工作中的单晶石墨烯还满足其他高性能电子器件的制备�