编号：FTJS106549
篇名� 退火处理对CVD生长石墨烯薄膜功函数的影�
作者： 姜燕 程振� 宋娟
关键词： 石墨� 功函� 原子力显微镜 退� 表面接触电势� 化学气相沉积�
机构：江苏大学材料科学与工程学院
摘要� 通过退火处理去除了石墨烯薄膜上的吸附气体和杂质,改变了石墨烯表面吸附情况.利用原子力显微镜和开尔文扫描探针显微�?对退火处理前后的石墨烯薄膜表面进行了原位扫描,分别得到其退火前、后的表面形貌和表面接触电势差图.根据表面接触电势差测量结果进一步计算其功函�?并对退火处理导致的功函数变化机理进行分�?结果表明:退火处理使得石墨烯薄膜与SiO2衬底间的水分子层逸出,从而导致石墨烯薄膜与SiO2衬底间距减小,降低了石墨烯薄膜的P型掺杂水�?使得费米能级上升、石墨烯薄膜功函数减�?