编号：FTJS00899
篇名� Ar气流量对石墨表面CVD TaC涂层生长与表面形貌的影响
作者： 张帆; 李国栊� 熊翔; 陈招秐�
关键词：TaC; 化学气相沉积; 稀释气体流野� 择优取向;
机构：中南大学粉末冶金国家重点实验室;
摘要� 用C3H6作为碳源�?Ar作为稀释气体和载气,TaCl5为钽�?采用化学气相沉积�?chemical vapor deposition,CVD)在高纯石墨表面制备TaC涂层。采用X射线衍射(XRD)和扫描电�?SEM)等对涂层进行表征,研究1 000℃下稀释气�?Ar)流量对TaC涂层成分、织构及表面形貌的影响。结果表昍�随着稀释气体流量增�?表面均匀性和光滑度提�?晶粒尺寸减小,晶体择优取向降低,沉积速率减小,涂层中C含量增多。当稀释气体流量为100 mL/min�?TaC涂层晶粒尺寸与沉积速率分别�?2.5 nm�?.60μm/h;而当稀释气体流量增大到600 mL/min�?涂层晶粒尺寸与沉积速率分别下降�?1 nm�?.25μm/h�