PiLas皮秒半导体激光器

Pilas系列皮秒半导体激光器脉宽可低�?8ps（FWHM），波长范围覆盖375nm~1550nm，峰值功率范围从20mW至高�?000mW（具体参数取决于所用的LD）。电触发信号和光脉冲之前的抖动约3~4ps。特殊波长和参数可根据客户要求定制、�/span>

两种版本可选、�/span>

1MHz PiLas（重复频率从单脉冲到1MHz（�/span>

?PiLas数字控制系统（EIG1000D（�/span>

?激光头PILxxxG�?75nm�?550nm（�/span>

高速PiLas（通常固定100MHz，其他重复频率可定制（�/span>

?PiLas 100 MHz控制系统 (EIG1000AF)

?激光头(PILxxxF)，波�?00nm�?550nm（其他波长按要求（�/span>

选件

特点和应用范図�/span>

技术背�?/span>

下图描述了电脉冲泵浦下产生的光脉冲、�/span>

参数

一个完整的PiLas系统包括控制器EIG，激光头和光学装置。所有给出的波长均为范例，用户可以提出特殊的波长要求与ALS确认。一个对应的EIG，激光头可以互换使用以获得不同的波长。但一个激光头不可以在1MHz�?00MHz控制器间互换、�/span>

激光头（至1MHz（�/span>

注：�?）更高功率可按客户要求、�/span>

高速激光头（固�?00MHz（�/span>

其他频率10MHz�?00MHz可按客户要求、�/span>

输出光装�?/span>

控制�?/span>

控制器尺寸：�?#215;�?#215;高＝326 mm x 235mm x 88mm

图示９�/span>

PIL063F光脉冲（使用UltraFast 35探测（�/span>

PIL082Q光脉冲（使用滨松条纹相机拍摄（�/span>

PIL078G光脉冲（使用UltraFast20探测（�/span>