一、实验背景与目的

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，凭借其高硬度（莫氏硬度9.5）、高导热性（490 W/m·K）、卓越的耐高温性（熔点�?/span>2700℃）及强耐腐蚀性，在航空航天、新能源、半导体封装等高科技领域具有不可替代的地位、�/span>

近日，绵阳九方智能装备有限公号�/span>凭倞�/span>自主研发皃�/span>气流粉碎机，成功帮助客户完成了一项突破性实骋�/span>９�/span>尅�/span><2mm的碳化硅原料精准粉碎臲�/span>D50；�/span>0.9微米，以卓越的技术实力实现了从毫米级到亚微米皃�/span>超微粉碎、�/span>

二、实验设夆�/span>及优炸�/span>

本次实验采用JFQ-100型气流粉碎机，该设备集成了超音速多喷嘴加速系统与高精度涡轮分级器，专门针对高硬度、高纯度材料的超微粉碎需求而设计、�/span>其核忂�/span>优势在于９�/span>

1.粒径精准调控：采用智能变频分级系统，可实时动态调整分级轮转速，确保成品D50稳定；�/span>1微米：�/span>

2.耐磨抗污染设计：粉碎腓�/span>特制内衬，耐磨性提卆�/span>300%，有效避免金属污染；

丈�/span>、实骋�/span>过程与数�?/span>

实验中，原料经预处理及精确给料控制，进入粉碎腔后在超音速气流作用下发生高频碰撞与摩�?/span>、�/span>�?/span>30分钟连续运行上�/span>＋�/span>最终经欧美克激光粒度分析仪检测：成品D50=0.83微米�?/span>D90=1.58微米的超细粉体，且粒度分布曲线呈正态分布，完全符合客户对半导体级碳化硅的严苛要求、�/span>

四�?/span>结语

绵阳九方始终专注超细粉体粉碎及分级技术研发、生产、销售、服务于一体，诚邀各行业伙伴携手合作，共同发展！免费试验热线：19183680777