中国粉体网讯为更好地引导和推动重点新材料的产业化和规模化应用，近日，浙江省经济和信息化厅正式发布《重点新材料首批次应用示范指导目录（2025年版）》。该目录中，三项氧化铝陶瓷材料成功入选、�/strong>

�?）半导体刻蚀设备用大尺寸氧化铝陶瓶�/strong>

性能要求：纯度＞99.5%，抗折强度＞350MPa，维氏硬度＞16GPa，介电强�?gt;15KV/mm、�/p>

应用领域：电子、半导体制造、�/p>

�?）大尺寸半导体级氧化铝精密陶瓶�/strong>

性能要求：纯度≥99.9%，体积电阻率�?×10¹⁴Ω·cm�?0℃），热传导率≥32W/m·K，单片烧结成型尺寸≥2000mm×500mm×50mm，单片烧结成型尺寸公差�?.01mm，抗弯强度≥400MPa、�/p>

应用领域：半导体封装、半导体制造设备、微电子与光电子、�/p>

�?）UV-LED 4寸纳米级图形化蓝宝石衬底

性能要求�?寸蓝宝石衬底，周� 900nm，孔� 500nm，孔� 300nm、�/p>

应用领域：UV-LED、�/p>

半导体设备是半导体产业的基础支撑，半导体设备由腔室内和腔室外组成，在技术要求更加严苛的腔室内，往往只有先进陶瓷材料才能胜任，严苛的工作环境对先进陶瓷材料性能、硬脆难加工材料精密加工及新品表面处理等方面也要求甚高、�/p>

其中，氧化铝陶瓷部件具有高硬度、高机械强度、超耐磨性、耐高温、电阻率大、电绝缘性能好等优异性能，能满足真空、高温等特殊环境下的半导体制造复杂性能要求，在半导体制造生产线上有着不可替代的重要作用，其应用几乎覆盖所有半导体制造设备，是半导体生产设备的关键部件、�/p>

例如《目录》中所提半导体刻蚀设备，在刻蚀过程中，卤素气体（如CF₄、CHF₃等）与惰性气体（如Ar、Xe等）通过电离生成的高能等离子体被用于晶片表面的刻蚀。这一过程当中，不仅晶片材料会受到刻蚀，刻蚀设备的内壁和关键部件（如喷淋头、聚焦环和基座）也会遭到刻蚀。但这些零部件的刻蚀一方面会使得半导体器件污染，良品率下降以及设备寿命缩短，另一方面这也会使得刻蚀腔内壁暴露在等离子环境中产生大量悬浮颗粒污染物，这些污染物可能沉积在晶片表面，导致芯片短路等质量问题。在此背景下，如何有效防止设备内壁刻蚀并消除由此产生的颗粒污染，已成为半导体行业需要解决的难题，耐高密度等离子体刻蚀材料的研发变得尤为紧迫、�/p>

作为典型的陶瓷材料，Al₂O₃具有高介电强度和优异的耐化学腐蚀性能，在高能等离子体刻蚀环境中仍能保持相对稳定，是较为常用的耐等离子体刻蚀材料之一、�/p>

《目录》中所列“UV-LED 4寸纳米级图形化蓝宝石衬底”也是一种氧化铝材料，即α-Al₂O₃单晶，具有优异的光学性能、机械性能和化学稳定性，具有强度高、硬度大、耐冲刷等特点，可在接�?000℃高温的恶劣条件下工作，是LED衬底最常用的材料、�/p>

（中国粉体网/山川（�/p>

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