中国粉体网讯2025�?�?1日，田�strong>中国粉体罐�/strong>主办的‛�strong>第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会“�/strong>在苏州白金汉爵大酒店成功举办。会议期间，中国粉体网特邀多位业内专家学者做客“对话”栏目，围绕碳化硅半导体前沿技术、装备与产业化进程展开深入交流，共同展望这一战略性材料的广阔前景。本期为您带来对西安交通大学能源与动力工程学院陈雪江副教授的专访、�/p>

陈雪江副教授作�?C-SiC晶体台阶生长微观机理研究》报呉�/p>

粉体网：陈教授，您主要从事的研究方向有哪些？

陈教授：在晶体生长方面，我主要从事碳化硅晶体PVT生长技术研究，包括PVT感应加热及电阻加热的热场优化及控制技术研究，以及碳化硅晶体外延生长微观机理的研究，特别是基于晶格动力学蒙特卡洛方法的碳化硅晶体台阶生长特性方面的研究、�/p>

粉体网：碳化硅外延存在意义是什么？

陈教授：碳化硅外延生长的核心是在碳化硅衬底上，通过化学气相沉积（CVD）等外延方法，生长出满足特定晶体取向要求的单晶薄膜，通过外延工艺，可进一步改善诸如微管、多型、位错等衬底缺陷，并精确把控掺杂浓度，灵活调控材料特性，提升器件性能与可靠性、�/p>

粉体网：制备高质量的碳化硅外延存在哪些技术难题？

陈教授：制备高质量的碳化硅外延目前在晶格匹配与缺陷控制、掺杂与厚度控制、尺寸与规模生产以及良率提升等方面仍然存在着巨大的挑战、�/p>

粉体网：什么是碳化硅晶体的“台阶流动生长”？

陈教授：碳化硅晶体台阶流动生长（Step-flow Growth）是一种通过控制晶体生长界面的台阶运动来形成高质量单晶的技术，通过在台阶型基底上生长SiC外延层可以有效改善缺陷，从而提高晶体外延层质量，并可以实现在较低温度下生长SiC晶体、�/p>

粉体网：您所在团队在碳化硅外延生长方面取得了哪些成果＞�/strong>

陈教授：近几年，我们一直致力于基于晶格动力学蒙特卡洛方法的的碳化硅外延生长微观机理研究，针对SiC 晶体外延生长过程中生长表面微观原子的复杂动力学过程，提出一种将Si 原子和C 原子分别作为基本表面微观粒子的三维晶格动力学蒙特卡洛模型，实现了对生长表面微观原子动力学过程信息更加精确的捕捉；采用Hoshen-Kopelman 晶核识别与标记算法，实现了生长表面晶核统计特性的分析，并利用提出的模型，分析了SiC 晶体外延成核生长过程团簇的稳定性问题，揭示了SiC 晶体外延生长早期成核机理以及SiC 晶体台阶流动外延生长过程中各向异性的微观机理、稳定性调控机制以及台阶表面成核生长特性等、�/p>

（中国粉体网/山川（�/p>

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