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已认?/p>

320-330度熔点铋酸盐封接玻璃粈span>新品
报价9span>1000兂/span>
品牌9/td> 江苏秋正新材
产地9/td> 连云?/td>
关注度: 33
型号9/td> QZ-0051
核心参数

纯度9span>99%以上

目数9span>12500

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产品介绍

玻璃网络主体结构

'/span>1)铋基网络骨枵/span>

核心角色9/span>Bi³⁺离子作丹/span>网络形成佒/span>

结构特?/span>9/span>

Bi³⁺具月/span>高极化率和孤电子对效库/span>,形戏/span>[BiO₂/span>]三角锥体戕/span>[BiO₅/span>]八面体结构单兂/span>

相较于传统硅酸盐玻璃'/span>Si-O键能≇/span>466kJ/mol),Bi-O键能显著降低(≈150kJ/mol),削弱网络强度↑/span>导致熔点下降

低温熔融机理9/span>

铋离子(Bi³⁺)皃/span>高离子半徃/span>'/span>1.03Å)与低场弹/span>(电荶/span>/半径²=2.9),使玻璃网络更易在热能作用下解聚,实现260?80℃软匕/span>


?)改性剂作用

元素

网络角色

对熔点的贡献机制

B

网络形成佒/span>

形成[BO₃]三角?[BO₄]四面体,穿插于铋网络间隙,增强稳定性而不显著提高熔点

Si

网络形成佒/span>

[SiO₄]四面体提供骨架支撑,但含量较低(<10wt%),避免过度提高熔融粘度

Cu/Zn

网络修饰佒/span>

▶Cu?Zn²⁺打断Bi-O长链,降低聚合度

▶形成低共熔物(如Bi₂O?CuO共熔点≈700℃)?nbsp;协同降低软化炸/span>


化学稳定?/strong>

'/span>1)硼-硅协同钝化作?/span>

硼的贡献9/span>

适量B₁/span>O₃形戏/span>[BO₃/span>]四面体,填补网络空隙→减少水解位炸/span>

在表面生成硼酸钝化层'/span>H₂/span>BO₃),抑制介质侵蚀

硅的增强9/span>

[SiO₃/span>]四面体与[BiO₂/span>]单元交联→形戏/span>Bi-O-Si键,抵抗酷/span>/碱攻击(尤其?/span>pH4‒/span>10区间(/span>

'/span>2)铝的界面封锁效库/span>

Al³⁺进入网络空隙形戏/span>[AlO₃/span>]四面体→强化网络边缘结构

高温下迁移至玻璃表面,生戏/span>Al-O钝化屁/span>,阻断腐蚀离子扩散


指标

参数范围/特性描?/span>

软化炸/span>

260?80ℂ/span>

融化炸/span>

320‒/span>330ℂ/span>

热膨胀系数(CTE)

可调范围丹/span>7?×10⁻⁶/K(匹配常用基板)

化学稳定?/span>

耐酸碱腐蚀'/span>pH3?1环境稳定(/span>

封接强度

?5MPa(Al₂O₃陶瓷界面测试)


核心优势

1.低温工艺兼容?/span>↑/span>260-280℃软化点,320-330℃融化点显著降低热耗能,兼容聚合物基板、敏感电子元件封装、/span>

2.高可靠性界靡/span>↑/span>Cu/Zn协同作用形成致密封接层,气密性达10⁻⁸Pa·m³/s级(氦检漏)、/span>

3.宽幅热膨胀调控→通过Cu/Zn比例调整,精准匹配陶瓶/span>/金属/硅基材料(如LTCC、铜引线框架)、/span>


典型应用场景


应用领域

适配器件类型

解决痛点

电子浆料

太阳能电池背电极?/span>MLCC端银浅/span>

低温烧结避免银迁移,提升附着劚/span>

传感器封裄/span>

MEMS压力/气体传感器真空腔体密?/span>

低温气密封接保护敏感结构

光电器件

LED芯片封装、红外滤光片粘接

抑制热损伤,保持光学透明?/span>

真空器件

真空继电器?/span>X射线管绝缘环封接

高气密性保障长期真空度



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江苏秋正新材料科技有限公司

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