碳化硅SiC

供应2,3,4,6英寸，切割小块的SiC碳化硅晶片、�/span>

碳化�?SiC)是一种性能优越的新型化合物半导体材料、�/span>

碳化硅半导体具有大禁带宽�?约为硅的3�?、高临界场强(约为硅的10�?�?/span>

高热导率(约为硅的3�?等优良特性，是制作高温�?/span>

高频和大功率电力电子器件(电力芯片)的理想半导体材料、�/span>

同时，也是仅次于钻石的优良的半导体材料、�/span>

目前我们还提供标准的2英寸�?英寸�?英寸�?英寸碳化硅外延晶片，

用于肖特基二极管(SBD)、金属氧化物半导体场效应晶体�?MOSFET)�?/span>

结型场效应晶体管(JFET)和双极结型晶体管(BJT)的制作、�/span>

这些电力电子器件可广泛应用于包括太阳能逆变器、风

力发电、混合动力及电动汽车等绿色能源和节能系统、�/span>

尺寸�?,3,4,6英寸：�/span>

晶向：On axis：�?.5°for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI

Off axis�?.0° toward 1120±0.5°for4H-N/4H-SI

厚度(um)�?50±25

直径(mm)�?0.8±0.3

表面粗糙度：Polish Ra�?nm，CMP Ra�?.5nm