砷化稼晶牆�/p>

可提供高质量砷化镓衬底片GaAs wafer定制服务、�/p>

• 尺寸�?",2",3",4",6";

• 晶向�?100),(111)和偏2°�?°�?°�?0°�?6°等各种偏角；

• 类型：N-type掺Si,P- type掺Zn,半绝缘Undope;

• 厚度�?00um�?20um�?50um�?00um�?00um�?00um�?25um;

• 提供“激光领域”用高质量超薄双抛GaAs;提供光学透过可用的双抛半绝缘GaAs;

• 提供高质量低位错的EPD<500�?lt;300�?lt;100�?lt;50的高质量LD级外延用GaAs;