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首页 > 产品中心 > 光学仪器及设 > 大光敏面锗（Ge）光电二极管-近红外波镾/div>
产品详情
大光敏面锗（Ge）光电二极管-近红外波镾/div>
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产品简今/div>
大光敏面锖/span>＇/span>Ge（/span>光电二极管－近红外波镾/span>
MicrophotonsMP-FDG50锗光电探测器＇/span>germanium (Ge) photodiode）是用来测量连续激光或者脉冲激光在工作波长800 to 1800 nm?*选择.此探测器丹/span>TO-8封装，便于集成到系统也便于客户单独使用、/span>
Specifications |
||
Sensor Material |
Ge |
|
Wavelength Range |
800 - 1800 nm |
|
Peak Wavelength |
1550 nm (Typ.) |
|
Responsivity |
0.85 A/W (Typ.) |
|
Active Area Diameter |
19.6 mm2 (?5 mm) |
|
Rise/Fall Time (RL = 50 Ohms 10 V) |
220 ns / 220 ns (Typ.) |
|
NEP Typical (1550 nm) |
4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.) |
|
Dark Current (5 V) |
60 A (Max.) |
|
Capacitance (10 V)Capacitance (0 V) |
1800 pF (Max.)16000 pF (Max.) |
|
Shunt Resistance |
4000 Ohm (Typ.) |
|
Package |
TO-8 |
|
Max Ratings |
||
Max Bias (Reverse) Voltage |
10 V |
|
Operating Temperature |
-55 to 60 C |
|
Storage Temperature |
-55 to 60 C |
|
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