产品用途：

此款CVD系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可�?/p>

生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结真空淬火退火，快速降温等工艺实验、�/p>

产品组成９�/strong>

CVD系统配置９�/p>

1.1200度开启式真空管式炉（可选配多温区）、�/p>

2.滑动系统分为手动、电动滑动，并配有风冷系统、�/p>

3.多路质量流量控制系统

4.真空系统（可选配中真空或高真空）

产品特点９�/strong>

控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单、�/p>

中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵，防止意外漏气速�span style="box-sizing: border-box; animation-fill-mode: both; font-size: 12pt;">成分子泵损坏，延长系统使用寿命、�/span>

(电动)滑动系统采用温度控制器自动控制炉体移动，等程序完成，炉体按设定的速度滑动，因有滑动限位功能炉体不会发生碰撞，待样品露出炉体后，通过风冷系统快速降温、�/span>