MiPLATO-SiC 碳化硅晶圆缺陷检测系统是针对 SiC 晶圆优化� PL 扫描成像系统、�/p>

该系统利用螺旋扫描技术，可在短时间内获取整片晶圆的光致发光信息，从而实现缺陷密度、载流子寿命及膜厚变化的同步测量。其深度学习功能可进行自动缺陷分类，实现先进的缺陷类型识别与评估。在光谱扫描成像过程中，自动导航功能可通过 PL 光谱坐标、DIC 图像、平台坐标等数据实现缺陷位置的识别与自动追踪。并且，该系统还能够检测并分析晶圆上的微小缺陷、�/p>

产品特点

� 使用 355 nm 激光同时进� 3 通道光致发光�?通道微分干涉相衬显微成像（DIC）测野�/p>

� 基于深度学习的缺陷分枏�/p>

� 微分干涉相衬显微成像（DIC）表面检浊�/p>

� 355 nm 激发的反射式微分干涉相衬显微成像（DIC（�/p>

� 胡萝卜状、划痕、水滴状�?-C 三角形缺陶�/p>

� 带边 PL 检测方法，额外提供 2 种数据供用户参耂�/p>

� BPD、肖克利堆垛层错、条状堆垛层锘�/p>

� 结合光谱仪进行光致发光光谱成僎�/p>

� 全晶圆扫描成僎�/p>

� 对成像数据中指定区域进行光谱分析

� 自动导航功能

� 基于 PMT 成像，光谱测量和图像处理结果的自动缺陷检浊�/p>

� 通过光谱分析实现精确的堆垛层错分籺�/p>

光路配置

� 配备 1800 RPM�?*转速）旋转平台的螺旋扫揎�/p>

� 单探头型&双探头型（开发中（�/p>

� 配备 50 倍物镜的微区 PL

� 光斑尺寸 2μm

� 多探测器 :

� 默认配置：反射式 DIC、带� PL、光谱仪

额外两个可定� PL 探测�?/p>

衬底和外延晶圆的 Macro 扫描成像可用� QC

� 机器与机器间

� 晶棒与晶棒间

� 同批晶棒的晶圆与晶圆闳�/p>

� 晶圆均匀�?/p>

> 5 分钟/ 6“，3 mm 步进

光谱采集过程的屏幕截�?nbsp;

1. PMT 扫描成像结果

2. 待测 SF 的裁剪图僎�/span>

3. SF 的光谱数�?/span>

4. 光谱� SF 的详细信�?/span>

5. 已分� SF 的报呉�/span>

产品配置