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钛掺杂二硫化钼晶?Ti掺杂MoS2
地址9/span>上海
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简介:产品技术参数:产品名称钛掺杂二硫化钼晶?Ti掺杂MoS2货号RDB-DJ-154性质半导体保存条件室温密封保存参数尺寸:?5mm2?5mm2?0mm2应用半导体电子器件,光学器件等研究产品规栻/div>
钽铌硫晶?Ta2NiS5
地址9/span>上海
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简介:产品技术参数:产品名称钽铌硫晶?Ta2NiS5货号RDB-DJ-158性质半导体保存条件室温密封保存参数尺寸:针状晶体-多块包装应用半导体电子器件,光学器件等研究产品规格:针状晶体-多块包装
钽铂碲晶?TaPtTe5
地址9/span>上海
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简介:产品技术参数:产品名称钽铂碲晶?TaPtTe5货号RDB-DJ-156性质拓扑材料保存条件室温密封保存参数尺寸?-5mm;多块包装应用无线电和光电行业,催化材料,电化学储能等研究产品规格?-5m
钽钴碲晶?TaCo2Te2
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简介:产品技术参数:产品名称钽钴碲晶?TaCo2Te2货号RDB-DJ-157性质二维磁性材料保存条件室温真空密封参数尺寸:2-5mm;多块包装应用低功耗自旋电子学,磁存储器件的研制等研究产品规格?-5
钛锗碲晶?TiGeTe6
地址9/span>上海
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简介:产品技术参数:产品名称钛锗碲晶?TiGeTe6货号RDB-DJ-155性质近红外半导体保存条件室温密封保存参数尺寸:>25mm2?5mm2应用半导体电子器件,光学器件等研究产品规格:>25m
钽铌硒晶?Ta2NiSe5
地址9/span>上海
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简介:产品技术参数:产品名称钽铌硒晶?Ta2NiSe5货号RDB-DJ-159性质半导体保存条件室温密封保存参数尺寸:针状晶体-多块/包装应用半导体电子器件,光学器件等研究产品规格:针状晶体-多块/包装X
锑碲硒晶?Sb2Te2Se
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简介:产品技术参数:产品名称锑碲硒晶?Sb2Te2Se货号RDB-DJ-160性质拓扑绝缘体保存条件室温密封保存参数尺寸:?5mm2?5mm2?0mm2应用新原理纳电子器件、自旋器件、量子器件、清?/div>
铁碲硒晶?FeTeSe
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简介:产品技术参数:产品名称铁碲硒晶?FeTeSe货号RDB-DJ-161性质超导体保存条件室温密封保存参数尺寸:>25mm2-FeTe0.5Se0.5>35mm2-FeTe0.5Se0.5&
铁镓碲晶?Fe3GaTe2
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简介:产品技术参数:产品名称铁镓碲晶?Fe3GaTe2货号RDB-DJ-162性质铁磁晶体Tc:~350-380K保存条件室温密封保存参数尺寸:?mm(25-35mm2)?-7mm(35-50mm2)
铁锗碲晶?Fe4GeTe2
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简介:产品技术参数:产品名称铁锗碲晶?Fe4GeTe2货号RDB-DJ-163性质铁磁金属材料(居里温度~270K)保存条件室温真空密封保存纯度>99.995%参数尺寸?gt;15mm2-毫米晶体多块/
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