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合肥世纪金芯半导体有限公号/b>证：工商信息已核宝br /> 访问量：31184
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产品简今/div>
6英寸SiC导电型衬底晶锭规格书 |
||
项目 |
性能 |
参数 |
晶体参数 |
表面晶向 Surface orientation |
4.0° toward [11-20]± 0.5° |
4H晶型面积 areas |
100% |
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边缘多晶 Edge polycrystal |
旟/p> |
|
机械参数 |
直径(mm) Diameter |
150±0.1 |
参考面方向 Primary flat orientation |
<11-20>±5.0° |
|
参考面长度(mm) Primaryflatlength |
47.5±1.5 |
|
电学参数 |
电阻?nbsp; (2 · cm) Resistivity |
0.01-0.03 |
掺杂剁/p> Dopant |
N型掺?/p> |
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缺陷参数 |
微管密度(?cm2) MicropipeDensity |
?.5 |
基平面位锘/strong>BPD(?cm2) |
?000 |
|
表面质量 |
裂纹 Cracks |
旟/p> |
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