该装备是将石墨制品、碳毡或SiC粉体等通过高温焙烧和工艺气体定向流动，经过物理扩散、化学反应使杂质元素从基体中排出，形成灰分含量低�?ppmw）、金属含量降到PPB数量级，从而达到半导体晶体生长对石墨品质（或粉体原料）要求的工艺过程�?nbsp;
技术参�?/span>
**温度� 2500� 常用工作温度�?200ℂ�br style="box-sizing: border-box;"/> 温度均匀度：≤�?� 仪表控温精度：�?ℂ�br style="box-sizing: border-box;"/> 抽真空时间：�?20min