设备特点

●温度控制采用串级控制方式，对基片实际温度进行实时智能控制、�/p>

●装载采用SiC悬臂桨，避免了与工艺管磨擦产生粉尘、�/p>

●反应气体分子送气和族射送气，避免气相反应产生粉尘和改善均匀性、�/p>

●工作压力闭环自动控制，提高工艺稳定性和重复性、�/p>

技术指栆�/span>

●基片尺寸：4,6,8英寸圆片

●工作温度：500�?00ℂ�/p>

●工艺管路：1�?箠�/p>

●恒温区长度�?00mm~800mm

●控温精度：±0.5ℂ�/p>

●极限真空度�?lt;1Pa

●膜厚均匀性：Si3N4：�?%� Poly-Si：�?%� TEOS-SiO2：�?%

应用范围

　　用于半导体器件、电力电子器件、光电子等行业氮化硅、多晶硅或氧化硅薄膜的制夆�/p>