在酒石酸体系�?采用原位聚合法合成还原氧化石墨烯(RGO)/一次掺杂态聚苯胺(PANI)纳米复合材料,经氨水解掺杂�?再对其进行二次掺杂得到RGO/二次掺杂态PANI纳米复合材料。利用傅里叶变换红外光谱、紫外光谱和扫描电子昽�/p>2019�?1�?7�?nbsp;更新

为了满足电磁屏蔽材料"厚度薄、质量轻、吸收频带宽"的发展趋�?采用原位聚合法制备了新型石墨�?羰基铁填充氰酸酯(GNSs-CIP/CE)复合材料,通过扫描电镜和矢量网络分析对其微观结构及电磁屏蔽效能(SE)进行了研究。结果发

采用水热方法制备了纳米金属氧化物SnO2/石墨�?RGO)复合材料,同时用相同工艺制备了纯SnO2与纯RGO作为对比。SnO2/RGO复合材料中SnO2均匀分布在RGO结构�?晶粒尺寸约为5 nm,与合成的单相SnO2相比晵�/p>2019�?1�?7�?nbsp;更新

为了拓展丝素蛋白(SF)在组织工程等生物医学领域的应�?采用微乳�?冷冻相分离技术制备丝素蛋�?氧化石墨�?SF-GO)复合多孔微球支架,并通过傅里叶变换红外光�?FTIR)、拉曼光�?Raman)、扫描电子显微镜(SEM)

以氧化石墨烯为前驱体,聚乙烯醇(PVA)为交联剂,通过组装-冷冻干燥-热处理制备石墨烯气凝�?GA),并以GA为骨�?热塑性聚氨酯(TPU)为填充体,采用真空浸渍法制备了TPU/GA导电复合材料。研究了PVA含量对于GA及其

当前利用三维打印技�?3DP)制备石墨烯器件时,通常采用的化学还原法由于常使用剧毒的强还原剂,生产过程危险性大,污染性强。相较而言,热还原法制作工艺简�?参数可控性强,更适合用于通过3DP技术制备高导电集成电路器件。采用还厞�/p>2019�?1�?7�?nbsp;更新