以硼砂、硼酸、氧化硼为硼源对石墨相氮化碳(g-C3N4)进行硼掺?通过一系列实验确定了最优的掺杂硼源、掺杂温度和掺杂比例,并对掺杂处理方法进行了优化。通过XRD、UV-Vis、XPS、FT-IR、PL、TEM和SEM等手殴/p>2019?0?3?nbsp;更新
通过机械研磨和碳包覆两种手段,对人造石墨形貌进行改?采用SEM、Raman、BET对改性前后石墨形貌、表面结构、比表面积进行表?同时采用EDS和恒流充放电电化学分析方法对负极极片析锂情况、电池放电容量进行分?结果表明:
2019?0?3?nbsp;更新在石墨表面原位反应形成TiC梯度涂层可以有效地提高石墨的高温耐氧化性能。本实验采用实验与化学热力学计算相结合的方法,探究了以Ti、TiO2和NH4Cl为固渗剂在石墨表面原位反应制备TiC梯度涂层的机?并在涂层形成动力学过稊/p>2019?0?2?nbsp;更新
石墨是由一层层以蜂窝状有序排列的平面碳原子堆叠而形成的,石墨的层间作用力较弱,很容易互相剥?形成薄薄的石墨片。当把石墨片剥成单层之后,这种只有一个碳原子厚度的单层就是石墨烯。石墨烯拥有质量轻、化学稳定性好、高比表面积的特炸/p>2019?0?2?nbsp;更新
石墨烯具有很多优异的性质,是非常理想的硅晶体替代材?有可能彻底改变现在人们的生活,引发新一轮的科技革命。但是单层石墨烯是一种零带隙的半金属,在半导体电子器件方面受到很大局限性。AB堆垛双层石墨烯的带隙可由外部垂直电场打开,
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