编号：FTJS05676
篇名� SiC固定模拟放射性石墨的研究
作者： 赵岭岭； 滕元成； 刘兵� 任雪潭； 易勇� 王山林；
关键词：SiC� 硅； 石墨� 合成�
机构：西南科技大学四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地；
摘要� �?2C模拟放射性同位素14C,利用物理化学性能优异的SiC固定石墨。以硅粉和石墨粉为原�?采用固相反应法合成SiC,借助X射线衍射(XRD)、扫描电�?SEM)、能�?EDS)等分析手�?研究温度、球磨时间、保温时间等因素对SiC合成的影响。结果表�?硅和石墨直接合成SiC的反应为扩散控制的固相反�?开始反应温度在1230℃以�?较佳合成温度�?330ℂ��?300℃合成SiC,球磨对SiC的合成有一定的促进作用;�?270℃以下合成SiC,无气氛保护球磨不利于SiC的合�?煅烧温度越低,负面影响越大;合成SiC的较佳保温时间为1 h�