编号：CYYJ04812
篇名� 硼调控壳聚糖衍生石墨烯多孔碳及电容去离子性能
作者： 刘建�?；李晓蝶1；乙�?；吴俊升1；王怡文1；杨健茂2
关键词： 电容去离孏� 硼掺杁� 氧化石墨�? 分级多孔结构; 碳电�?
机构�?.东华大学环境科学与工程学�?.东华大学分析测试研究中心
摘要� 电容去离子（CDI）是一种低能耗、环境友好的苦咸水脱盐技术，但其性能仍受限于碳基电极的电导性、孔结构、界面润湿性和稳定性。本文以壳聚糖为�?氮源，氧化石墨烯（GO）为导电支架，硼酸和铁盐分别作为杂原子调控剂和造孔辅助剂，构筑了B/N共掺杂石墨烯增强多孔碳电极（HGBC）。GO有助于形成连续导电骨架并抑制碳层堆叠，硼酸与Fe源协同调控碳骨架结构和表面极性，利于碳化和酸洗过程中Fe释放及介孔结构形成。所得HGBC具有分级�?介孔网络、优异亲水性和低电荷传输阻抗。在1 mol/L NaCl中表现出88 F/g的比电容，并在对称CDI装置中实�?3.4 mg/g的盐吸附容量�?5.3 mg/（g·min）的最大吸附速率�?00次循环后容量保持率为80%。因此，导电骨架、杂原子掺杂和介孔结构的协同调控可有效提升碳基电极的离子传输与CDI脱盐性能�