集成电路

1) 用于超小型MOS晶体管的栅侧壁和绝缘�?

1) 由于SiNx中H含量较低，MOS晶体管的寿命延长�?个数量级、�/span>

尚未实现大规模生�?/span>

化合物半导体器件

1) GaN、GaAs等超高频晶体管的钝化.

1) 通过减少钝化层以下的表面损伤来提高GaN或GaAs晶体管的截止频率和可用功率、�/span>

1) � 2) 都实现了产业化应�?

2) 用于光通信的激光器钝化

2) 通过减少损伤增加能量和寿呼�/span>

显示�?/strong>

1) a-Si TFT (非晶硅薄膜晶体管),

1) 具有较大的开关比，可实现低关断电流和高稳定性、�/span>

1) 尚未产业匕�/span>

2) 沉积态的薄膜晶体�?

2) 迁移率超�?0cm2/Vs、�/span>

2) 尚未产业匕�/span>

3)有机电致发光器件上的气体阻挡�?

3) OLED寿命超过15,000小时、�/span>

3) 尚未产业匕�/span>

4) 复印机用感光鼒�/span>

4) 气体利用效率高，高速沉积、�/span>

4) 小规模生�?/span>

太阳电池

1) 薄膜太阳能电�?

1) HWCVD的沉积速率快，气体利用率比PECVD高一个量�?

1) 尚未产业匕�/span>

2) 晶体硅太阳电池中的钝化层和减反射�?

2) 用HWCVD镀的膜具有极低的表面复合速率 velocity <0.2 cm/s .

2) 尚未产业匕�/span>

3) 非晶�?晶体硅异质结太阳电池

3) 无等离子体损伤、气体利用率髗�/span>

3) 大规模批量生�?/span>

机械工程

1) 汽车用镀金属镀层的替代涂装方法、�/span>

1) 混合动力轿车采用HWCVD镀膜后，镀层寿命比传统镀金属提高1个数量级、�/span>

1) 技术开发中

2) 在剃须刀上涂上涂层、�/span>

2)在不牺牲锐度的情况下，制造出低摩擦表面、�/span>

2) 高档剃须刀已产业化

其他应用

1) 去除光刻胶、�/span>

1) 用HWCVD法去除经高剂量离子注入后的光刻胶，且不会有任何残留、�/span>

1) 相关设备已制造、�/span>

2) 表面清洁、�/span>

2) 清洁远紫外光刻的反射镜表靡�/span>

2) 在远紫外光刻设备中应�?

3) 改善喷墨或丝网印刷金属线的电阻率、�/span>

3) 用HWCVD进行氢处理可以在室温下形成低电阻率的Cu或Ag金属线、�/span>

3)产业化推进中

4) HWCVD法实现在c-Si中的低温P或B掺杂

4) 通过热丝裂解PH3戕�/span>B2H6，可以在80℃条件下将P或B原子掺杂到c-Si中、�/span>

4)研究起步