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碳化硅粉
其它无机材料
金刚石微粈/a>
6英寸导电?H-SiC衬底
直径?50 ± 0.2 mm
厚度?50 ± 25μm
(衬底减?gt;100μm(/span>
导电类型:n-type
应用方向:SiC同质外延
产品类型:抛光片(Epi-ready(/span>
2~ 8" N-tybe SiC substrate
碳化硅( SiC )是一种性能优越的新型化合物半导体材料。碳化硅半导体具有大禁带宽度(约为硅?倍)、高临界场强(约为硅?0倍)、高热导率(约为硅的3倍)等优良特性,是制作高温、高频和大功率电力电子器件(电力芯片)的理想半导体材料。同时,也是仅次于钻石的优良的半导体材料、/span>
技术优劾br tm="174" style="box-sizing: content-box;"/>晶体利用率高,成本低 品质达到P-MOS?br tm="175" style="box-sizing: content-box;"/>采用PVT长晶泔br tm="176" style="box-sizing: content-box;"/>籽晶粘结成功率接?00%
平均生长速度0.13-0.16mm/h
长晶良率高于行业水平
加工良率达到90%
有效的降低了单片成本、br tm="181" style="box-sizing: content-box;"/>SiC 晶锭一致性非常优秀
晶片表面粗糙?.075纳米
位错缺陷达到MOSFET功率器件要求
第三代半导体材料可以满足现代社会对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求,且其拥有体积小、污染少、运行损耗低等经济和环保效益,因此第三代半导体材料正逐步成为发展的重心。当前主流的第三代半导体材料为碳化硅与氮化硅,前者多用于高压场合如智能电网、轨道交通;后者则在高频领域有更大的应用(5G等)、/span>
目前我们提供标准的N型碳化硅衬底晶片。用于肖特基二极管( SBD )、金属氧化物半导体场效应晶体管( MOSFET )、结型场效应晶体管( JFET )和双极结型晶体管( BJT )的制作。这些电力电子器件可广泛应用于包?nbsp;太阳能逆变器、风力发电储能、混合动力、电动汽车、充电桩、智能电网、家用电器等绿色能源和节能系统、/span>
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