�?/span>1992年日本工程师中村修二划时代地利用蓝宝石基板制备了GaN外延层并顺利实现蓝光LED制作之后，蓝绿光LED实现了井喷式的大爆发，蓝宝石晶体化学成分为氧化铝，晶体结构为六方晶格，其具有超高的硬度，在高温下物理、化学性质稳定，光学性能优秀，逐渐成为蓝绿先�/span>LED的主流选择、�/span>

常规的氮化镓＇�/span>GaN）是在蓝宝石的极性面C靡�/span><0001> 上生长的、�/span>C面蓝宝石存在较强的极化效应，AlGaN/GaN异质结界面因极化效应而产生高密度和高迁移率二维电子气＇�/span>2-DEG），这有利于GaN基高电子迁移率晶体管＇�/span>HEMT）的性能，但这种极化效应对光电器件却危害较大：极化引起的内建电场使能带弯曲、倾斜，能级位发生变化，强大的极化电场使正负载流子在空间上分离，电子与空穴波函数的交迭变小，材料的发光效率大大降低，发光波长也会出现红移现象、�/span>

�?/span>A<11-20> ＋�/span>M<1-100> ＋�/span>R<1-102> 面蓝宝石衬底上生长得到的GaN分别为极�?/span><0001> ，半极�?/span><1122> 和非极�?/span><1120> 取向的晶体，半极性、无极性氮化镓材料�?/span>LED器件droop效应、波长偏移和长波长波段效率等方面有不错的表现，但结晶质量较差，位错密度很高。研究表明，通过高温AlN成核层和较高皃�/span>AlGaN生长温度，或使用Al组分逐次降低的多屁�/span>AlGaN作为缓冲层能够有效地改善半极�?/span>AlGaN材料的晶体质量，另外Si掺杂能够有效地改善分别在A面和M面蓝宝石衬底上生长的极性和半极�?/span>AlGaN薄膜的晶体质量、�/span>

常用规格９�/span>

C面蓝宝石衬底|A面蓝宝石衬底|R面蓝宝石衬底|M面蓝宝石衬底

C面斜切角� 蓝宝石衬应�/span>

尺寸９�span style="margin: 0px; padding: 0px; text-decoration-line: underline;">2英寸直径50.8mm厚度0.43mm|4英寸直径100mm厚度0.65mm|6英寸直径150mm厚度1.0mm

抛光：单面抛先�/span>|双面抛光

粗糙� Ra９�/span><0.3nm＇�/span>CMP（�/span>

全平面厚度差TTV９�/span><10um

热点应用：蓝宝石键合� 用于砷化镓晶圆的减薄、抛光工艹�/span>

传统砷化镓晶圆减薄工艺由于设备施加重量和压强，减薄过程中易造成晶圆碎裂，或表面应力累计形成卷曲，产品性能严重损失，减薄用金属磨盘易产生金属污染，晶圆粘附剂、化学磨削液易引入污染、�/span>

新的减薄工艺在高温条件下将蓝宝石晶片（直径略大于目标晶圆）作为载片与砷化镓晶圆键合，尅�/span>砷化镒�/span>/蓝宝石键合片粘附于陶瓷磨盘，通过特制夹具对其进行减薄、抛光处理，完成后置于高温洗剂中融化，使蓝宝石和砷化镓晶圆分离、�/span>

新的减薄工艺可用于包括砷化镓及各种半导体晶圆的减薄加工，载片材质可选择蓝宝石、玻璃等抛光晶片，蓝宝石因其优越的物理化学性质及晶体结构，目前是主流的载片选择，我司推出的蓝宝石载片，尺寸匹配行业标准减薄设备要求＋�/span>4英寸采用直径104mm�?英寸采用直径156mm�?59mm，略大于标准4英寸�?英寸晶圆，抛光面粗糙度Ra<0.5nm，超高的平整度的蓝宝石载片可以更好的控制半导体晶圆的减薄精度，减薄加工时不宜碎裂、�/span>

蓝宝石（直径略大于目标晶圆）作为载片与砷化镓晶圆键合键合片粘附于陶瓷磨盘

常用蓝宝石载片规栻�/span>９�/span>

4英寸蓝宝石键合片（双面抛光）

直径９�/span>直径104mm

粗糙�?/span>Ra９�/span><0.5nm（双靡�/span>CMP抛光（�/span>

全平面厚度差TTV９�/span><5um

6英寸蓝宝石键合片（双面抛光）

直径９�/span>直径156mm/159mm

粗糙�?/span>Ra９�/span><0.5nm（双靡�/span>CMP抛光（�/span>

全平面厚度差TTV９�/span><5um/<1um