随着科学技术的飞速发展，半导体材料的革新速度也进一步加快。当前，碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，在新能源汽车、光伏、储能等新兴领域正快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿和制高点。同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，碳化硅半导体将在我国5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用、�/span>

近年来，我国在SiC材料领域取得了显著进展，但与国际先进水平相比，在晶体生长技术、晶圆加工技术等方面仍存在一定差距。SiC晶体生长过程中面临着晶体缺陷控制、生长速率提升、晶体质量稳定性等难题；晶圆加工方面，则存在加工精度不足、良品率低、加工成本较高等挑战。在当前倡导节能减排的大趋势下，快速稳定地突破碳化硅单晶尺寸和质量等关键问题，才能够更好地占据未来碳化硅市场、�/span>

在此背景下，中国粉体网将亍�span style="font-size: 16px; color: rgb(255, 0, 0);">2025�?�?1�?/span>�?span style="font-size: 16px; color: rgb(255, 0, 0);">江苏·苏州举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流、�/span>