制作方法9/p>.
质量标准9/p>.
纯度9/p>?5%
目数9/p>10mm x10mm
品级9/p>一?/span>
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货号 | CAS叶/td> | 编号 | 包装 | 参数 |
102553 | 7440-44-0 | XF249 | 1牆/td> | 芯片尺寸:10mm x10mm 厚度:675μm |
产品名称
中文名称: Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S10
英文名称:Graphene Field-Effect Transistor chip S10
性质
芯片尺寸?0mm x10mm
芯片厚度 ?75μm
每个芯片的GFET数量?6
栅氧化层厚度?0nm
栅极氧化物材料:SiO2
基体电阻?nbsp;?-10 Ω.cm
Dirac点:;/span>50 V
良率 :>75%
石墨烯场效应迁移率:=/span>1000cm2/V.s
残余电荷载体密度 9span style="font-family: 宋体;">;/span>2x1012cm-2
应用
石墨烯器件研究,化学传感器,生物传感器,生物电子学,磁传感器,光电探测器、/span>
其他信息
常温干燥避光密封保存?长保存期限一年、/span>
暂无数据
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