参考价栻/p>面议
型号
101029品牌
先丰纳米产地
江苏样本
暂无制作方法9/p>.
质量标准9/p>.
纯度9/p>.
目数9/p>8 mmx6 mm
品级9/p>一?/span>
看了CVD氧化?硅基底单层二硫化钼的用户又看亅/p>
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货号 | CAS叶/td> | 编号 | 包装 | 参数 |
101029 | 1317-33-5 | XF163 | 1 监/td> | 基底尺寸: 8 mmx6 mm |
产品名称
中文名称: CVD氧化?硅基底单层二硫化钻/span>
英文名称9/span>Single Layer MoS2 on SiO2/Si
性质
形态:薄膜
参数
基底:二氧化?硄/span>
基底尺寸9/span>8 mm*6 mm
氧化层:300nm
片径范围?0-50 μm
厚度?.6?.8 nm
应用
先丰纳米**推出CVD法制备的单层二硫化钼,相比较锂插层制备的单层二硫化钼,该产品具有缺陷少,层数可控,优异的光学性质,是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料,欢迎咨询、/span>
暂无数据
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