半导体功率器件静态测试系统简今�/strong>

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、uΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电� 、反向传输电容等�

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方� 灵活，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求、�/span>

系统组成

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，主要由测试仪表、上位机软件、电脑、矩阵开 关、夹具、高压及大电流信号线等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的静态测试主机，内置多种电压、电流等级的测量单元。结合自主开发的上位机软件控制测试主机，可根据测试项目需要，选择不同的电压、电流等级，以满足不同测试需求�

系统主机的测量单元，主要包括普赛斯P300高精度台式脉冲源表、HCPL系列高电流脉冲电 源、E系列高压源测单元、C-V测量单元等。其中P300高精度台式脉冲源表用于栅极驱动与测试使用�?*支持30V@10A脉冲输出与测试；HCPL系列高电流脉冲电源用于集电极、发射极之间电流测试及续流二极管的测试，15us的超快电流上升沿，自带电压采样，单设备支持Z�?000A脉冲电流输出；E系列高压源测单元用于集电极、发射极之间电压，漏电流测试，Z高支�?500V电压输出，并且自带电流测量功能。系统的电压、电流测量单元，均采用多量程设计� 精度�?.1%�

产品特点

• 高电压：支持高达3.5KV高电压测试（Z大扩展至10kV）；
  大电流：支持高达4KA大电流测试（多模块并联）：�br/> 高精度：支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试：�br/> 丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
  配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；
  数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；
  模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护：�br/> 可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；
  可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；

  技术指栆�/span>

功率器件静态测试系统主要由多台源表、电桥、矩阵开关、PC、上位机控制软件、夹具盒等组成。针对不同的测试需求，用户可以选择不同源表、夹具等

PMST系统配置	关键参数	备注
P系列 脉冲源表	PW高达30V/10A�?00V/1A	栅极特性测诔�/span>
	CW高达300V/0.1A�?0V/1A
	*小脉冲宽�?00uS
HCP系列 大电流脉冲源�?/span>	PW高达30V/100A	IGBT导通压降、二极管瞬时前向电压测试
	CW高达10V/30A
	*小分辨率30uV/10pA
	*小脉冲宽�?0uS
HCPL系列 高电流脉冲电流源	单台PW高达12V/1000A，可多台并联
	*小脉冲宽�?0uS
E系列 高电压源测单兂�/span>	CW高达3500V/100mA	IGBT击穿电压测试
	*小分辨率10mV/100pA
	测量精度0.1%
电桥	频率范围�?0Hz~1MHz	IGBT各级间电容测诔�/span>
	HVP系列提供0~400V直流偏置电压 S系列提供0~30V直流偏置电压
	预置偏置电阻100kΩ
矩阵开兲�/span>	/	电路切换及源表切捡�/span>
主机	/
测试夹具	根据器件封装形式定制

系统具体配置由用户自行选择，以车规IGBT为例，一般配置如下：

设备名称	数量	功能
P300脉冲源表	1�?/span>	测试栅极（基极）特性；
E100高电压源测单兂�/span>	1�?/span>	测试集电极发射极（漏极源极）耐压及漏电流：�/span>
HCPL100高电流脉冲电溏�/span>	1�?/span>	测试功率管导通电阻及续流二极管前向压降；
电桥	1�?/span>	客户指定或我司推荐，测试各极间电容；
PC朹�/span>	1�?/span>	运行我司上位机软件程序；
矩阵开兲�/span>	1�?/span>	按照国际要求进行电路切换及源表切换；
夹具	至少1�?/span>	针对不同的封装形状需要使用不同的测试夹具：�/span>

半导体功率器件静态测试系统应�?/span>

功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN：�/span>