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◆PLMapping测量
◆多种激光器可逈/p>
◆Mapping扫描速度:优?0?科/p>
◆空间分辨率?0um(物镜)?0um(透镜(/p>
◆光谱分辨率?.1nm@1200g/mm
◆Mapping结果?D方式显示
?*8吋的样品测量
◆晶片精确定佌/p>
◆样品真空吸陃/p>
◆可做低温测野/p>
◆膜厚测野/p>
测试原理9/p>
PL是一种辐射复合效应。在一定波长光源的激发下,电子吸收激发光子的能量,向高能级跃迁而处于激发态。激发态是不稳定的状态,会以辐射复合的形式发射光子向低能级跃迁,这种被发射的光称为荧光。荧光光谱代表了半导体材料内部,一定的电子能级跃迁的机制,也反映了材料的性能及其缺陷、/p>
操作简便、全电脑控制
 PMEye-3000系列PL Mapping测量?/strong>,是一款适合于半导体晶片和LED外延片科研、生产和质量控制环节的仪器;采用整机设计,用户只需要根据需要放置合适的检测样品,无需进行复杂的光路调整,操作简便;所有控制操作均通过计算机来控制实现、/p>  全新的样品台设计,采用真空吸附方式对样品进行固定,防止对样品的损伤;可对常规尺寸的晶圆样品进行精确定位,提高测量重复性、/p>  系统采用直流和交流两种测量模式,直流模式用于常规检测,交流模式用于微弱荧光检测、/p>  荧光测量  一般的PL测量仪只是测量荧光的波长和强度。PMEye-3000系列增加对激光强度的监控,并根据监控结果来对荧光测量进行校正。这样就可以消除激发光源的不稳定带来的测量误差,也使测量结果有可比性、/p>  Mapping功能  PMEye-3000系列配置200X200mm的X-Y电控位移台,**可测?英寸的晶圆样品。用户可以根据不同的样品规格来设置扫描区域及空间分辨率,扫描速度优于每秒20个点,空间分辨率可达10um(物镜)?0um(透镜)。扫描结果以3D方式显示,以不同的颜色来表示不同的荧光强度、/p>  激光器  PMEye-3000系列有多种高稳定性的激光器可选,系统*多可内置2个激光器和一个外接激光器,标配为1个激光器。用户可以根据测量对象来配置不同的激光器,使PL检测更加灵活、/p>  PMEye-3000系列可内置的激光器波长有:266nm?05nm?42nm?32nm?85nm等,外置激光器波长有:325nm?32.8nm等、/p>  功能强大的软仵/p>  我们具有多年的测量仪器操作软件的开发经验,熟悉用户的操作习惯,这使我们开发的这套PMEye-3000系列操作软件功能强大且操作简便、/p>  PMEye-3000系列操作软件提供单点PL光谱测量及显示,单波长的X-Y Mapping测量及显示,mapping结果?D方式显示。同时具有多种数据处理方式来对所测量的数据进行处理、/p>  低温样品室附仵/p>  该附件可实现样品在低温状态下的荧光检测、/p>  有些样品在不同的温度条件下,将呈现不同的荧光效果,这时就需要对样品进行低温制冷、/p>  如图所示,从图中我们可以发现在室温时,GaN薄膜的发光波长几乎含盖整个可见光范围,且强度?*峰出现在580nm附近,但整体而言其强度并不强;随着温度的降低,发光强度开始慢慢的增加,直?10K时,我们可以发现?50nm附近似乎有一个小峰开始出现,且当温度越降越低,这个小峰强度的增加也越显著,一直到*低温25K时,基本上就只有一个荧光峰、/p>  GaN薄膜的禁带宽度在室温时为3.40Ev,换算成波长?65nm,而我们利用PL系统所测的GaN薄膜?5K时在356.6nm附近有一个峰值,因此如果我们将GaN薄膜的禁带宽度随温度变化情况也考虑进去,则可以发现在理论上25K时GaN的禁带宽度为3.48eV,即特征波长?57.1nm,非常靠近实验所得的356.6nm,因此我们可以推断这个发光现象应该就是GaN薄膜的自发辐射、/p>  性能及功胼/p>  150W溴钨灯(可选,用于膜厚测量(/td>  0.6nm?00g/mm?00nm(/p>  0.8nm?00g/mm?250nm(/td>  锁相放大器SR830  探测器选择 扫描模式  单波长mapping  摄谱模式  峰值波长mapping;给定波长范围的积分  光源  405nm激光(标配(/p>  光源调制  斩波?/td>  光谱?/td>  三光栅DSP扫描光谱?/td>  光谱仪焦跜/td>  500mm(标配)  波长准确?/td>  0.2nm?200g/mm?00nm(/p>  探测?/td>  Si探测器,波长范围?00?100nm (标配)  数据采集设备  带前置放大器的数字采集器DCS300PA  二维位移平台  行程200*200mm,重复定位精?3m  样品?/td>  具有真空吸附功能,对主流?’’,4’’,5’’,6’’,8’’的晶片可进行精确定佌/td>  Mapping扫描速度  优于20?科/td>  Mapping位移步长  *小可?um  空间分辨玆/td>  10um(物镜方式)?0um(透镜方式(/td>  重复定位精度 <3m 
| 探测器类垊/td> | 光谱响应范围 | 
| R1527光电倍增箠/td> | 200?80nm | 
| CR131光电倍增箠/td> | 200?00nm | 
| DSi300硅光电探测器 | 200?100nm | 
| DInGaAs1700常温型铟镓砷探测?/td> | 800?700nm | 
| DInGaAs1900制冷型铟镓砷探测?/td> | 800?900nm | 
| DinGaAs2200制冷型铟镓砷探测?/td> | 800?200nm | 
| DinGaAs2600制冷型铟镓砷探测?/td> | 800?600nm | 
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