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L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征，包?/span>:迁移率，电阻率，载流子浓度和霍尔常数、/span>
基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温（液氮）附件结合高温炉（温度可达240C）可保证所有应用领域环境条件下的测试。永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场、/span>
基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V咋/span>I-R数据国/span>.
系统可测试多种材料包括Si SiGe SiC GaAs InGaAs InP GaN (N 型或P型均可测? 金属膜， 氧化物等. 样品测试时便可完成系统功能演礹/span>
特点
?载流子浓?/span>
?电阻玆/span>
?迁移玆/span>
?电导玆/span>
?(水平电阻倻/span>/垂直电阻倻/span>)
?霍尔常数
?磁致电阻
| 输入电流: | 500nA?/span> 10mA (500nA步长) |
| 霍尔电压: | 0.5?/span> 4.5V |
| 分辨玆/span>: | 65pV |
| 样品形状: | 15x15 20x20 25x25mm高度可达5mm |
| 磁场强度: | 可达1T |
| 传感?/span>: | 液氮温度?/span> 240C |
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