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EBPG5150使用?55mm大小的样品台，采用跟EBPG5200一样的通用光刻平台设计，对电子束直写应用进行了优化。它可以载入不同大小的样品，包括多片散片以及完整的硅片
00001.高束流密度，热场发射电子枪可以在20?0?00kV之间切换
00002.155mm的平?/span>
00003.*小曝光特征尺寸小?nm
00004.高速度曝光，可采用50?00MHz的图形发生器
00005.在所有KVs加速电压下，可连续改变的写场大小，**可以?mm
00006.GUI人机交互界面友好，简洁易用，适用于多用户环境
00007.多项灵活可选择的配置，可以适用于不同应用的需汁/span>
EBPG5150可以选择不同的升级选项，以满足用户不同的技术和预算需求。让全世界的高校等研究类用户也可以使用这款非常先进、高自动化的电子束光刻系统、/span>
电子束曝光用于制作GaAs T型器仵/span>
微盘谐振?/span>
开口环谐振?/span>
主要应用９/span> 100KV高加速电压可用于曝光高深宽比纳米结构 高速电子束直写 批量生产，如化合物半导体器件 防伪标识 |
电子光学柱技术： EBPG 电子杞/span> 100 kV |
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