美国SVT Laser MBE

Laser MBE具备PLD和传统MBE的特性，可对薄膜的生长速率进行精确（原子层级别）控制。通过在MBE系统上增加激光烧蚀工艺，系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等。SVT�?8年的MBE设备制造经验，我们擅于通过原位的监控测量仪器来提高薄膜生长的质量。其中原位测量仪器包括：温度测量、厚度测量、RHEED、束流监控等。如果您想了解更多这方面的信息，

应用９�/p>

可用于研究氧化物半导体， 高温超导材料，光学晶体，电光学薄膜，铁电以及铁磁材料等、�/p>

标准性能９�/p>

• 超高真空（本底压弹�1E-10 Torr）；

• 多种生长模式的源集成，包括：

• RF等离子体

• 蒸发溏�/span>

• 电子束蒸叐�/span>

• 臭氧传送系绞�/span>

• 先进的原位监控仪（可选）

• 原子吸收束流监控�?/span>

• RHEED

• 温度以及厚度监控�?/span>

• 6个可旋转PLD靵�/span>

• 高功率准分子激光器

• 提供合适的泵抽组合

• 多种腔室配置以满足您的需汁�/span>

• 培训以及服务支持