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日立高新离子研磨装置IM4000（HITACHI Ion Milling System IM4000 ）的混合模式带有两种研磨配置９/p>
断面加工：将样品断面研磨光滑，便于表面以下结构高分辨成像、/p>
平面研磨：将样品表面均匀研磨5平方毫米，从不同角度有选择地研磨，以便突出样品的表面特性、/p>
日立高新离子研磨装置IM4000（HITACHI Ion Milling System IM4000 ）的高通量能提高加工效率：与之前的E-3500型相比，采用新型离子枪设计，减少了横截面研磨时间。（**加工率：硅元素为300微米/小时--加工时间减少?6%、/p>
日立高新离子研磨装置IM4000（HITACHI Ion Milling System IM4000 ）的可拆卸样品台装置：为便于样品设置和定义研磨边缘，可将样品台装置拆卸、/span>
断面加工：将样品断面研磨光滑，便于表面高分辨观察
平面研磨：不同角度有选择地，大面积，均匀地研? mm的平面，以突显样品的表面特?/span>
规格
| 项目 | 描述 | |
| 断面加工?/td> | 平面研磨?/td> | |
| 气源 | 氩气(Ar) | |
| 加速电厊/td> | 0-6Kv | |
| **研磨速率??（硅材质（/td> | ?00m/h?? | ?0m/h?（点（/p> ?m/h?（面（/p> |
| **样品尺寸 | 20（W?#215;12(D)7(H)mm | 5025(H)mm |
| 样品移动范围 | X7mm，Y0－＋3mm | X0－＋5mm |
| 旋转角度 | - | 1r/m?5r/m |
| 摆动角度 | 15?#177;30?#177;40 | 60?#177;90 |
| 倾斜 | - | 0-90 |
| 气体流量控制系统 | 流量调节?/td> | |
| 排气系统 | 涡轮分子?33L/S)+机械?50Hz时，135L/min?0Hz时，162L/min) | |
| 仪器外观尺寸 | 616（W?#215;705(D)312(H)mm | |
| 仪器重量 | 主机48kg+机械?8Kg | |
| 可选附仵/td> | 光学显微镜（用于观测研磨中的样品（/td> | |
?：此研磨速率是对研磨板边缘处的硅材质的材料研磨至100m粒度时所获得?*深度倻/p> ?：此研磨速率是对硅材质的材料进行研磨两小时后获得的平均倻/p> ?：照射角?0偏心?mm ?:照射角度0偏心?mm |
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移动?/p>
工商已核宝/p>
