单光子计数模块|硅APD探测模块SPDSi|Si-APD单光子探测器

单光子计数模坖�strong>SPDSi是基于Si-APD的超灵敏光电探测器。探测波段覆�?00 -1060 nm，可工作在线性模式和盖革模式。盖革模式下增益超过60 dB。SPDSi特有的高性能主动抑制电路，可以实现连续的单光子探测，并且可加载任意宽度和周期的探测门。该电路实现了大�?0 dB的雪崩抑制，从而将Si APD的性能发挥�?*状态。在700 nm波段的探测效率超�?0%，暗计数200-2000 cps，死时间小于50 ns、�/p>

SPDSi标准型号的有效光敏探测面�?*可达500 um，单光子计数信号在模块内部转化为数字TTL信号，并通过SMA接口送出。高度集成的模块化设计便于OEM应用和工业集成、�/p>

APD通过模块内部制冷工作�?20 ℃的低温环境下，以获�?*的信噪比。制冷模块由高效的TEC控制。控制精度可�?#177;0.2 ℃、�/p>

技术特点：

• 高探测效率：65%@700 nm

• 500 um光敏面积

• TTL数字信号输出

• 低暗计数

• 低后脉冲

• 低时间抖�?/span>

应用领域９�/strong>

• 荧光测量

• 激光测跜�/span>

• 量子通信

• 光谱测量

• 光子关联

• 自适应光学

Fig1. 量子效率	Fig2. Si单光子探测器

Fig3. Si单光子探测器结构国�/p>

产品参数９�/strong>

参数规格 参数	倻�/p>	单位
供电电压*1	22 -28	V
供电电流	0.5	A
光谱响应范围	200 ----1060	nm
探测效率 @200 nm @700 nm @850 nm @1060 nm	2 65 45 3	%
暗计�?/p>	200 -2000	cps
死时闳�/p>	50	ns
后脉冱�/p>	3 - 8	%
时间抖动	300 - 500	ps
饱和计数�?2	10	Mcps
光敏面积	500	um
APD制冷温度	-20	ℂ�/p>
工作温度	-15 - +50	ℂ�/p>
输出信号电平	LVTTL
输出信号脉宽	530	ns
门脉冲输入电干�/p> Disable=LVTTL low Enable=LVTTL high	0-0.4 2 -3.3	V

产品说明９�/p>

1.不正确的电压可能损坏模块，应保证接入电源不高�?8V，并可提供足够电流、�/p>

2.APD属于高灵敏光电探测器件，在雪崩状态下应控制输入光信号强度，过高的光强可能损坏APD，这种损害可能降低APD的探测灵敏度，严重时甚至会造成二极管击穿、�/p>

3.在特殊的应用场景下，应保证模块的工作温度不超�?0 ℃，过高的温度可能导致APD工作温度上升，从而引起暗计数水平升高、�/p>

4.SPDSi的默认死时间�?0ns。死时间设定会影响模块的**计数率，当死时间设定�?0ns时，**计数率为10Mcps，如您的应用对死时间设定有特别要求，请在订购时与我们联系、�/p>

5.同样，输出信号的脉宽也会影响**计数率，典型脉宽�?0 ns，如您的应用对输出信号有特别要求，请在订购时与我们联系、�/p>

6.SPDSi支持空间和光纤接口接入、�/p>

单光子探测器选型９�/p>