HERA-DLTS

高能分辨率深能级瞬态谱（DLTS（�/span>

PhysTech�?990年推出了**台数字DLTS，随着电脑技术的发展，使得在短时间内进行复杂计算成为可能。在纯指数发射过程模型的基础上，用各种数学模型分析测量到的瞬态过程，如傅里叶转换、拉普拉斯转换、多指数瞬态拟合、ITS（等温瞬态光谱）信号重叠法、温度扫描信号重叠法（重折叠）。与其他系统相比，HERA-DLTS具有无法比拟的能量分辨率、�/p>

半导体的掺杂浓度、缺陷能级位、界面�?俘获界面)是研究半导体性质的重要手段。此设备根据半导体P-N 结、金－半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能级瞬态谱（DLTS）的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有很高检测灵敏度的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS 谱、�/p>

特点９�/strong>

• 自动接触检�?/p>

• 常规测试和加强软仵�/p>

• 自动电容补偿

• 三终端FET电流瞬态测野�/p>

• 大电容和浓度范围

• 灵活性高、模块化硬件

• 支持各种冷却仓和温度控制�?/p>

• 傅里叶转换（F-DLTS），比例窗口和用户自定义校正功能

• DLTFS（深层瞬态傅里叶光谱仪）评价

操作模式９�/strong>

• C-DLTS

• CC-DLTS

• I-DLTS

• DD-DLTS

• Zerbst-DLTS

• O-DLTS

• FET-Analysis

• MOS-Analysis

• ITS（等温瞬态光谱仪（�/p>

• 缺陷分析

• 俘获截面测量

• I/V� I/V(T)理查森标绘图

• C/V� C/V(T)

• TSC/TSCAP

• PITS（光子诱导瞬态谱（�/p>

• DLOS(特殊系统)

规格９�/strong>

分辨率：	1*108atoms/cm3
脉冲发生�?/strong>
电压范围９�/td>	��20.4V�?#177;102opt.（�/td>
电压分辨玆�	0�?25mV
**电流:	�?#177;15mA
脉冲宽度:	1��s-1000s
快速脉冲选配
电容�?/strong>
HF信号:	100Mv@1MHz(20mV optional)
范围[pF]:	3�?0�?00�?000(自动或手�?
电容补偿:	0.1-3000 pF（自动或手动（�/td>
灵敏�?	0.01 fF
电压测量
范围:	��10V
灵敏�?	�?��V
输入电阻:	106Ohm
可提供偏压补偾�
电流测试
范围:	5，从��1��A �?#177;10mA
灵敏�?	�?pA
可提供漏电保抣�/td>
瞬态记彔�/strong>
样品速率:	2��s�?000s
样品数量:	16-16384（opt.64k（�/td>
可调节抗失真滤膜
标准冷却仒�/strong>
温度范围:	15K-450K�?7K~800K
温度扫描方式９�/td>	使用28个不同的相关功能（软件）通过一次温度扫描，给出28个温度扫描信号、�/td>
典型性能（Schottky Diode，Reverse Bias Capacitance 100pF@OV（�/td>
灵敏�?	10-7 T/(N D-N A)<10 -5
能量精度:	HT+/-3%
能量分辨玆�	10meV
发射玆�	10-3/s 4/s

Options

• Constant Capacitance

• Optical Excitation

• Fast Pulse Interface

• ��100 V Option

• Multi Sample Interface