世界上只有NTT-AT生产基于SiC膜的 FZP

利用具有高耐用性、SiC膜和清晰形状的Ta X射线吸收体的FZP能生产坚韧、高精确、清晰的产品、�/span>

NTT-AT公司的FZP因其高质量而在世界上被广泛用于产品生产、�/span>

优点

NTT-AT公司的由SiC膜和Ta吸收体图案组成的菲涅耳波带板（FZP）具有出色的高耐X射线辐射性、高分辨率和高对比度、�/p>

只有NTT-AT公司提供基于SiC膜的菲涅耳波带板（FZP）具有出色的高耐X射线辐射性、�span>NTT-AT的FZP由干法蚀刻的Ta组成。吸收体图案清晰，S/N比高，成像缺陷少� 能理想地应用于X射线显微镜、X射线微光束辐射和X射线成像、�/p>

另外，还提供用于软X射线和极紫外（EUV、XUV）领域的Ta图案／SiN膜型FZP和Au板图案／SiN 膜型FZP。并提供台阶式（基诺全息照片）FZP、�/p>

特点

要点

• 能用于X射线显微镜、EUV显微镜、X射线微光束辐射和同步加速器辐射光束监视等各种X射线应用、�/p>

• 出色的高耐X射线辐射�?/p>

• *小区域宽度达25纳米

• 可定制FZP

标准产品列表

型号	宽高 毓�/th>	膛�/p> 材料	膛�/p> 厚度 （微米）	��Rn （纳米）	D （微米）	N	Tm （纳米）
FZP-S38/84	4.2	SiN	0.15	38	84	550	160
FZP-S50/80	5	SiN	0.2	50	80	400	250
FZP-S40/155	5	SiN	2	40	155	970	200
FZP-S50/330	8	SiN	1	50	330	1�?50	400
FZP-S86/416	8	SiN	2	86	416	1�?00	700
FZP-100/155	8	SiN	2	100	155	388	800
FZP-173/208	5.8	SiN	2	173	208	300	1�?00
FZP-200/206	8	SiN	2	200	206	255	1�?00
FZP-C234/2500	0.6	SiC	0.2	234	2�?00	2�?70	150

※规格可能会变更，恕不预先通告、�/span>

Rn�?外区域宽�?/span>

D：直徃�/span>

N：全区域

Tm：Ta厚度

菲涅耳波带板（FZP）的X射线吸收体图桇�/h3>

可按要求定制设计FZP，满足用户的特殊X射线能量、光学设置和聚焦、图像性能。如果本公司的标准产品商品目录中没有所需的产品，

图案示意国�/span> �?#966;2.5mm）（光学显微镜）

以对角观察的SEM国�/span> （SEM（�/span>

菲涅耳波带板（FZP）的结构

二进制型	台阶（基诺全息照片）弎�/span>

*小区域宽度（*外区域）	25纳米
**直径	5毫米
膜材斘�/th>	SiN� SiC
膜厚�?/th>	0.2�?微米
吸收体材斘�/th>	Ta
吸收体厚�?/th>	0.1�?微米
Si基板形状	10平方毫米
Si基板厚度	1毫米

※我们可与用户商讨不同需求、�/span>

产品示例

超精密图案菲涅耳波带板（FZP（�/h3>

菲涅耳波带板（FZP）直径：250微米，Ta厚度�?25纳米�?外区域宽度：25纳米，膜：SiC 2.0微米

高纵横比（较厚Ta吸收体）菲涅耳波带板（FZP（�/h3>

菲涅耳波带板（FZP）直径：100微米，Ta厚度�?.5微米�?外区域宽度：250纳米，膜：SiN 2.0微米

台阶（基诺全息照片）式菲涅耳波带板（FZP（�/h3>

菲涅耳波带板（FZP）直径：100微米，Ta厚度�?.0微米�?外区域宽度：400纳米，膜：SiC 2.0微米

菲涅耳波带板（FZP）中间区域的SEM 图：台阶（基诺全息照片）式菲涅耳波带板（FZP）、Ta图案